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行業(yè)新聞
05-23

原磊科普丨半導(dǎo)體制造中的外延（Epi）工藝

在完美的晶體基礎(chǔ)層上構(gòu)建集成電路或半導(dǎo)體器件是理想的選擇。半導(dǎo)體制造中的外延(epi)工藝旨在在單晶襯底上沉積一層精細(xì)的單晶層，通常約為0.5至20微米。外延工藝是半導(dǎo)體器件制造中的一個(gè)重要步驟，尤其是在硅片制造中。
03-08

SEMICON China 2024 Pre-Event Exposure

南京原磊納米材料有限公司(簡稱“原磊納米”)，將攜高端半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備及工藝和材料集成解決方案參加這一國內(nèi)頂級半導(dǎo)體的盛會(huì)，向行業(yè)伙伴展示公司最新的技術(shù)和產(chǎn)品。誠邀各位蒞臨展位，真誠地期待與業(yè)內(nèi)同仁精誠合作、互利共贏!
08-08

原磊科普|ALD在鈣鈦礦電池中的應(yīng)用

原磊納米技術(shù)團(tuán)隊(duì)多年的工藝開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，公司從創(chuàng)業(yè)之初，就深入于鈣鈦礦領(lǐng)域相關(guān)材料的研究，目前客戶端的ALD鍍膜工藝取得了非常好的階段性成果進(jìn)展。
03-01

原磊科普|ALD在高深寬比器件制造上不可替代的應(yīng)用

在集成電路領(lǐng)域中，深寬比被定義為刻蝕深度與刻蝕圖形CD（Criticlal Dimension）的比值。CD是IC制造中的一個(gè)重要指標(biāo)，通常與刻蝕的特征圖形的尺寸相關(guān)聯(lián)，包括有淺槽隔離的間隙、晶體管的溝道長度、金屬互聯(lián)線的寬度等。隨著高密度集成電路特征尺寸的不斷減小，對于高深寬比的間隙進(jìn)行均勻、無空洞，填充淀積工藝顯得至關(guān)重要。? ? 以3D NAND為例，?其復(fù)雜結(jié)構(gòu)需要高的深寬比鍍膜工藝，例如疊層沉積、高深寬比通道/通孔沉積和臺階沉積等等。這類非平面結(jié)構(gòu)對沉積工藝的要求很高，常見的物理氣相沉積（PVD）/化學(xué)氣相沉積（CVD）的成核生長機(jī)制已經(jīng)難以滿足。 ALD與其他制膜技術(shù)對比（圖片來源網(wǎng)絡(luò)） ? 不同于傳統(tǒng)的沉積方式，原子層沉積（ALD）的反應(yīng)機(jī)制是逐層飽和反應(yīng)，這種表面反應(yīng)具有自限性，通過累積重復(fù)這種自限性可以制備所需精確厚度的膜層，并且具有良好的臺階覆蓋率及厚度均勻性，連續(xù)生長可以獲得致密性高的納米薄膜。 ? ? 使用TiCl4和H2O制備的TiO2（圖片來源網(wǎng)絡(luò)） ? 基于表面飽和化學(xué)性吸附及自我限制的反應(yīng)機(jī)制，原子層沉積（ALD）擁有下列優(yōu)點(diǎn)： ? 通過對生長循環(huán)數(shù)的控制，可以精確控制目標(biāo)膜厚 ? ? 通過對前驅(qū)體流量的穩(wěn)定性/均勻性控制，可獲得較高致密性的薄膜 ? ? 對于具有高深寬比結(jié)構(gòu)的器件/材料，ALD具備良好的側(cè)壁覆蓋能力和階梯覆蓋能力，沉積保形性較好 ? ? 結(jié)合原磊技術(shù)團(tuán)隊(duì)成員多年的經(jīng)驗(yàn)積累，并經(jīng)過不斷的優(yōu)化和實(shí)踐，原磊將ALD在深寬比器件制造的理論優(yōu)勢，用自己的技術(shù)和產(chǎn)品充分展現(xiàn)出來。原磊第二代研發(fā)型ALD設(shè)備Elegant-Y/A系類產(chǎn)品，在不改變腔體的前提下滿足O3/Plasma/Thermal三種工藝的任意切換。針對高深寬比結(jié)構(gòu)的材料/器件，設(shè)計(jì)了獨(dú)有的FV-ALD工藝，給反應(yīng)前驅(qū)體提供一個(gè)更加穩(wěn)定的腔內(nèi)氣流環(huán)境，針對高深寬比的結(jié)構(gòu)，有效擴(kuò)大了階梯覆蓋能力以及樣品表面膜層的均勻性，可以實(shí)現(xiàn)深寬比1000：1的溝道內(nèi)Al2O3、HfO2和TiN的均勻致密沉積。 ELEGANT II-Y300 ? 圖1展示了Elegant-Y300系列ALD產(chǎn)品在Floating型溝道結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積25nm HfO2薄膜的SEM圖片。圖2中展示了放大倍數(shù)的HfO2薄膜，可清晰地看到其致密均勻的沉積效果。. ? Figure 1：高深寬比為1000:1溝道結(jié)構(gòu)25nm-HfO2薄膜的SEM結(jié)果 ? Figure 2：高深寬比為1000:1溝道結(jié)構(gòu)25nm-HfO2薄膜厚度測試結(jié)果 ? 經(jīng)過前期大量的工藝驗(yàn)證和研發(fā)，我司也摸索出一系列ALD制備氧化物、氮化物和金屬的成熟工藝，包括： ? 氧化物 Al2O3、TiO2、SiO2、HfO2、Ta2O5、ZrO2、ZnO、SnO2、La2O3 金屬 Fe、Ag、Co、Ni、Cu、Ru、Pt 氮化物\ 多元材料 TiN、TiC、GaN、AlN、HfON、LaAlO3、MnN、TaN、WN、Si3N4等 ? 我司目前主要產(chǎn)品是研發(fā)和量產(chǎn)型原子層沉積（ALD）設(shè)備，其中GRACE MX系列和ELEGANT II-A系列機(jī)型均可成熟量產(chǎn)。 ? GRACE MX系列 原磊自主研發(fā)的第一代多層平板式原子層薄膜沉積（ALD）系統(tǒng)。支持全方位的工藝開發(fā)，且最大可容納樣品尺寸及層數(shù)可根據(jù)客戶需求量身定制。 ELEGANT II-A系列 成熟量產(chǎn)型機(jī)臺，可使用標(biāo)準(zhǔn)或自定義的 Cassette一次性裝載25片6/8寸英寸晶圓。在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，我司利用ALD技術(shù)開發(fā)出獨(dú)特的處理工藝-即ISSET技術(shù)，能夠大幅提升功率器件的電學(xué)性能。 ?
08-26

臺積電預(yù)估9月量產(chǎn)3納米，晶圓代工廠要如何應(yīng)對挑戰(zhàn)？

三星電子7月底搶先全球廠商宣布量產(chǎn)3納米芯片，臺積電雖然慢了一步，但仍符合原先預(yù)期，預(yù)估在9月開始量產(chǎn)3納米，此事讓晶圓代工雙雄的競爭更加白熱化。
09-03

中國半導(dǎo)體三路出擊

根據(jù)國信證券的調(diào)研報(bào)告顯示，在2020 年前8個(gè)月中國有近萬家(9335 家)企業(yè)轉(zhuǎn)投芯片行業(yè)，同比增長1.2倍。A股半導(dǎo)體上市公司目前62家，新轉(zhuǎn)型做半導(dǎo)體的企業(yè)數(shù)量是存量的150倍。
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