關(guān)鍵要點(diǎn)

●  外延工藝允許在相同材料的襯底上生長(zhǎng)更高純度的膜層。

●  在外延過程中，生長(zhǎng)的方向由下面的基底晶體決定。

●  外延工藝影響器件質(zhì)量、特性、電氣性能等。

　　在完美的晶體基礎(chǔ)層上構(gòu)建集成電路或半導(dǎo)體器件是理想的選擇。半導(dǎo)體制造中的外延(epi)工藝旨在在單晶襯底上沉積一層精細(xì)的單晶層，通常約為0.5至20微米。外延工藝是半導(dǎo)體器件制造中的一個(gè)重要步驟，尤其是在硅片制造中。

　　半導(dǎo)體制造中的外延(Epi)工藝

　　半導(dǎo)體制造中的外延工藝類型

　　在外延工藝中，生長(zhǎng)的方向由下面的基底晶體決定。取決于沉積的重復(fù)，可以有一個(gè)或多個(gè)外延層。外延工藝可用于形成在化學(xué)組成和結(jié)構(gòu)方面與下面的襯底相同或不同的材料薄層。
 

半導(dǎo)體制造中影響外延工藝的因素  

　　外延密度和速率

　　外延生長(zhǎng)的密度是外延生長(zhǎng)層中每單位體積材料的原子數(shù)。諸如溫度、壓力和半導(dǎo)體襯底的類型等因素影響外延生長(zhǎng)。通常，外延層的密度隨著上述因素而變化。外延層生長(zhǎng)的速度稱為外延速率。

　　如果外延生長(zhǎng)在適當(dāng)?shù)奈恢煤腿∠?，生長(zhǎng)速率將很高，反之亦然。與外延層密度類似，外延速率也取決于物理因素，如溫度、壓力和襯底材料類型。

　　外延速率在高溫和低壓下增加。外延速率還取決于襯底結(jié)構(gòu)取向、反應(yīng)物的濃度和所采用的生長(zhǎng)技術(shù)。

　　外延工藝方法

　　外延工藝有幾種方法：液相外延、混合氣相外延、固相外延、原子層沉積、化學(xué)氣相沉積、分子束外延等。讓我們來比較兩種外延工藝：CVD和MBE。
 

　　外延工藝在半導(dǎo)體制造中至關(guān)重要;它優(yōu)化了半導(dǎo)體器件和集成電路的性能。它是半導(dǎo)體器件制造中影響器件質(zhì)量、特性和電學(xué)性能的主要工藝之一。

　　原磊納米EPI設(shè)備

　　原磊納米自主研發(fā)的低溫選擇性外延平臺(tái)，在制造、能耗和生產(chǎn)效率上取得一些列突破性創(chuàng)新成果，并成為全球第三種加熱燈管設(shè)計(jì)的外延設(shè)備。該設(shè)備可用于8/12英寸邏輯、存儲(chǔ)和外延片等硅基同質(zhì)、異質(zhì)外延生長(zhǎng)。設(shè)備的預(yù)真空腔采用雙層設(shè)計(jì)，兼顧進(jìn)樣和冷卻功能;工藝腔體配置公司自主研發(fā)的前處理系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)更低襯底傷害下的高質(zhì)量表面處理;傳輸系統(tǒng)在對(duì)晶圓抓取、擺放、升降和溫控等進(jìn)行創(chuàng)新優(yōu)化后，可實(shí)現(xiàn)鍺硅和硅外延工藝產(chǎn)能的大幅提升。該平臺(tái)總共可配置2個(gè)前處理和4個(gè)EPI工藝腔體，能完全滿足主流晶圓廠產(chǎn)能需求。
 

EPI M300 系列