原磊納米自主研發(fā)的低溫選擇性外延平臺(tái)，在制造、能耗和生產(chǎn)效率上取得一些列突破性創(chuàng)新成果，并成為全球第三種加熱燈管設(shè)計(jì)的外延設(shè)備。該設(shè)備可用于8/12英寸邏輯、存儲(chǔ)和外延片等硅基同質(zhì)、異質(zhì)外延生長(zhǎng)。設(shè)備的預(yù)真空腔采用雙層設(shè)計(jì)，兼顧進(jìn)樣和冷卻；工藝腔體配置公司自主研發(fā)的前處理系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)更低襯底傷害下的高質(zhì)量表面處理；傳輸系統(tǒng)在對(duì)晶圓抓取、擺放、升降和溫控等進(jìn)行創(chuàng)新優(yōu)化后，可實(shí)現(xiàn)鍺硅和硅外延工藝產(chǎn)能的大幅提升。該平臺(tái)總共可配置2個(gè)前處理和4個(gè)EPI工藝腔體，能完全滿(mǎn)足主流晶圓廠產(chǎn)能需求。