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產(chǎn)品中心

PRODUCT CENTER

當(dāng)前位置：

Flura平臺(tái)

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Flura平臺(tái)

原磊的Flura真空傳輸系列產(chǎn)品在嚴(yán)苛的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)和制造環(huán)境下誕生，確保設(shè)備在 Fab 中運(yùn)行的高穩(wěn)定性和高潔凈度。其模塊化的設(shè)計(jì)不僅縮小了占地面積，提升了擴(kuò)展性，而且使快速應(yīng)對(duì)各種布局需求成為了可能。

零售價(jià)

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市場(chǎng)價(jià)

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產(chǎn)品編號(hào)

所屬分類

定制型產(chǎn)品

數(shù)量

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產(chǎn)品描述

技術(shù)指標(biāo):

晶圓尺寸：200/300mm

最高溫度：380℃

預(yù)真空腔：25pc*2

最大PM數(shù)量：10

機(jī)械爪材料：陶瓷 /其他

冷卻方式：PN2/水

AWC 精度/范圍：±0.01mm / 6mm

未找到相應(yīng)參數(shù)組，請(qǐng)于后臺(tái)屬性模板中添加

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源瓶

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T9平臺(tái)

推薦產(chǎn)品

 EPI M300 T3/T9 系列

原磊納米自主研發(fā)的低溫選擇性外延平臺(tái)，在制造、能耗和生產(chǎn)效率上取得一些列突破性創(chuàng)新成果，并成為全球第三種加熱燈管設(shè)計(jì)的外延設(shè)備。該設(shè)備可用于8/12英寸邏輯、存儲(chǔ)和外延片等硅基同質(zhì)、異質(zhì)外延生長(zhǎng)。設(shè)備的預(yù)真空腔采用雙層設(shè)計(jì)，兼顧進(jìn)樣和冷卻；工藝腔體配置公司自主研發(fā)的前處理系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)更低襯底傷害下的高質(zhì)量表面處理；傳輸系統(tǒng)在對(duì)晶圓抓取、擺放、升降和溫控等進(jìn)行創(chuàng)新優(yōu)化后，可實(shí)現(xiàn)鍺硅和硅外延工藝產(chǎn)能的大幅提升。該平臺(tái)總共可配置2個(gè)前處理和4個(gè)EPI工藝腔體，能完全滿足主流晶圓廠產(chǎn)能需求。

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 門閥

原磊納米擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高真空直動(dòng)式傳輸門閥，適用于裝載鎖和真空工藝室隔離，廣泛應(yīng)用于真空鍍膜設(shè)備、光電產(chǎn)業(yè)及其他集群真空系統(tǒng)。密封裝置具有快速啟閉、較高的重復(fù)運(yùn)行壽命以及高氣密性等優(yōu)點(diǎn)，在隔絕和連通各真空腔室時(shí)起到關(guān)鍵性作用。優(yōu)勢(shì)- 密封性好和啟閉快特殊設(shè)計(jì)的氣動(dòng)驅(qū)動(dòng)器能快速實(shí)現(xiàn)閥板開(kāi)合和關(guān)閉，特制的密封件保證更可靠耐用的密封效果。優(yōu)勢(shì)二低發(fā)塵更低的particle產(chǎn)生，精密的門板驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)使密封過(guò)程接近零摩擦，更有效的抑制顆粒的產(chǎn)生。優(yōu)勢(shì)三高安全性能采用機(jī)械式所止機(jī)構(gòu)在閥板閉合時(shí)鎖定門板組件，有效避免外界因素導(dǎo)致的閥板誤操作。優(yōu)勢(shì)四維護(hù)便利和長(zhǎng)壽命可更換波紋管，可通過(guò)頂部拆裝門板，使用壽命可達(dá)100萬(wàn)次。

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 Advanced Cluster T3/T9 PE/TH ALD

Advanced ClusterM3/M9 PE/TH ALD系列是我司的團(tuán)簇式 ALD 設(shè)備。該系列搭載獨(dú)立控制的真空傳輸、標(biāo)準(zhǔn) ALD 反應(yīng)腔、進(jìn)/取樣腔和冷卻腔可實(shí)現(xiàn)多功能材料和器件制備；同時(shí)通過(guò)熱法和等離子體增強(qiáng)腔體的相互配合可以實(shí)現(xiàn)真空環(huán)境下完整器件的前處理、制備和后處理工藝。該系列適用于 28 / 14 nm 制程的 IC 邏輯芯片，3D NAND 及特殊記憶體。

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 源瓶

針對(duì)不同的ALD工藝，原磊自主創(chuàng)新設(shè)計(jì)的ALD前驅(qū)體鋼瓶，包括冷源鋼瓶、熱源鋼瓶以及雙口熱源鋼瓶三種類型。這些鋼瓶采用316L高純不銹鋼材質(zhì)，容量范圍廣泛，從常規(guī)的100ml到600ml不等。同時(shí)，我們還可根據(jù)客戶需求定制大容量鋼瓶，其密封性能卓越，漏率低至1*10E-9 mbar*L/s，可廣泛應(yīng)用于ALD真空鍍膜設(shè)備中。

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